웨이비스

최근 첨단무기체계 뿐만 안티드론, 이동통신 인프라, 위성 및 우주항공 등 첨단산업의 고도화 및 급성장에 따라, 기존 기술에 비해 고주파, 광대역, 고효율의 기술적 특성을 요구하여 첨단무기체계 시장에서 주로 사용되던 GaN RF 반도체가 다양한 첨단산업의 표준 솔루션으로 채택되어 그 수요가 급격히 증가하고 있습니다. GaN RF 반도체 기술이 상용화 되기 전에는 수십년 간 진공관 기반의 TWTA RF 전력증폭기와 실리콘 기반의 LDMOS RF 전력증폭기를 사용해왔습니다. 그러나 GaN RF 반도체가 상용화 됨과 동시에 최근 세부시장을 막론하고 주요 수요 시스템의 성능 고도화 및 요구 성능 증가 추세가 맞물리면서, TWTA RF 전력증폭기가 가지고 있는 단점(다기능 구현 어려움, 소형화의 어려움, 내구성이 취약함, 긴 제작 납기, 유지보수가 힘듦)과 Si LDMOS RF 전력증폭기가 가지고 있는 단점(3GHz 이상 동작 주파수에서의 성능 열화 및 낮은 전력효율)을 해결해줄 수 있는 GaN 기반의 RF 전력증폭기가 legacy 기술들을 완벽히 대체해 나가고 있습니다.

이렇듯 첨단무기체계 뿐만 아니라 안티드론, 이동통신 인프라, 위성 및 우주항공 등 다양한 첨단산업에서도 GaN RF 반도체 기술이 대체 불가능한 핵심 기술로 그 기술적 중요성이 높아지고 있는 상황임에도 불구하고, 우리나라뿐만 아니라 세계 대부분의 국가가 GaN 칩 공급을 미국과 일본의 소수 업체에 100% 의존하고 있으며, 미국과 일본 등 동 기술을 독식하고 있는 주요 국가에서 GaN RF 반도체를 전략핵심부품으로 분류하여 엄격한 수출통제(Export License) 정책을 고수하고 있어 전 세계적인 수급불균형이 매우 심각한 상황입니다. 또한 최근 불거진 미·중 무역분쟁이나 일본 화이트리스트 사태와 같이 정치 외교적 상황에 의해 동 기술을 적용한 제품의 수급 불확실성이 더욱 커지고 있어, 민수 군수를 막론하고 국가적 산업 자립화를 위해서라도 국산화가 반드시 필요한 매우 중요한 기술입니다. 당사는 과거 국내 첨단 무기체계 레이더 프로젝트에 참여할 때 우리나라 무기체계 개발에 필수적인 GaN RF 반도체를 우방국인 미국으로부터 수입하는 데 1년 이상이 소요되는 경험을 하였습니다.

이를 통해 GaN RF 반도체 수급에 관한 국가적 문제를 일찍이 경험하면서 동 기술의 국산화에 과감히 도전하였으며, 2015년 국방과학연구소(이하 ADD)의 선도형 핵심기술(GaN RF 전력증폭 소자 공정 개발) 사업 수주를 통해 0.4um 150W급 전력증폭 소자 공정기술 개발을 성공적으로 완료하였습니다. 2023년 현재 당사는 GaN RF 반도체 칩-패키지트랜지스터-모듈 전 제품 라인업의 개발 및 제조역량을 내재화한 국내 유일의 기업으로 산업 내 핵심 반도체 부품에 대한 수급 불균형을 해소하는 한편 국가 핵심 산업의 자립화에 기여한다는 사명감을 가지고 기술 확대에 박차를 가하고 있습니다. 이에, 국내 최초·유일 국산화에 성공한 당사는 글로벌 수급난을 해소할 수 있는 대안으로 크게 주목받고있습니다.